摘要：目前，采用精细化沟槽栅技术、薄片加工技术、场阻技术和发射极载流子浓度增强技术的器件结构已成为绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的主流结构，同时新的器件结构技术、封装技术和新材料技术也成为业界研究的重点。文章针对近年来有关IGBT所取得的最新研究进展，从器件结构、封装技术、国际主要厂商的技术发展、新材料器件等方面对IGBT器件新技术及发展趋势进行了系统的梳理和概述。