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高关断能力压接型IGBT器件研制

摘要:直流断路器是高压直流输电系统换流站的主要电气设备之一。作为直流断路器中关键部件,压接型IGBT(insulated gate bipolar transistor)的电学性能及可靠性尤为重要。基于直流断路器的特性需求,开发出一款具有高关断能力的3300V压接式IGBT芯片。该芯片具有良好的开关特性、短路特性及坚固性,可通过8倍额定电流关断测试,且与自主研制的FRD芯片有良好的匹配性;基于此芯片研制的高关断压接型IGBT模块已通过仿工况关断能力测试。

关键词:
  • 绝缘栅双极晶体管  
  • 压接型igbt器件  
  • 短路安全工作区  
  • 结构设计  
作者:
冷国庆; 赵哿; 金锐; 高明超; 温家良; 潘艳
单位:
全球能源互联网研究院功率半导体研究所; 北京102209
刊名:
大功率变流技术

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期刊名称:大功率变流技术

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