电力电子技术杂志北大期刊统计源期刊

摘要：电力电子器件作为电力电子技术的3个主要支撑点之一，其前进步伐在很大程度上决定着整个电力电子技术领域的发展。一代器件产生一代装置的论断不断被电力电子技术长足发展的历史所证实。从晶闸管取代真空闸流管，到功率MOS和IGBT取代GTR，再到目前的新生代IGBT以咄咄气势直逼GTO，以及宽禁带半导体电力电子器件向硅器件的庄严宣战，电力电子系统正是在器件的这些变革中一次又一次地提高着它的功率与频率之积，并将其节能效益推向极致。

摘要：简要地介绍了突破传统“硅极限”的超结器件发明的背景，以及产生的来由。描述了既用作漂移区又用作耐压区的各种超结结构的导通电阻与击穿电压的关系，及超结MOST瞬态特性中导通过程的器件物理。最后简要地介绍了超结器件的进展。

摘要：研究了采用高边电流检测方案的大功率LED恒流驱动芯片。基于25V，1．5μmBCD工艺，运用Cadence的SpectreS工具对电路进行了仿真。结果表明，LED驱动电流为滞环变化的三角波，在8～23V输入电压范围内，j卷片输出驱动电流变化小于4％。芯片的实测数据与仿真结果基本一敛，实现了恒流驱动大功率LED的功能。

摘要：提出了一种新型MOS控制晶闸管，即组合式绝缘栅双极晶体管（CIGBT），它通过在公共的n阱和P阱内部串联MOSFET的阴极单元而形成。而n阱和P阱可产生一个特有的自箝位特征，可保证阴极免受任何过电压的冲击，进一步改善了其安全工作范围。仿真实验结果证明，CIGBT可大大改善IGBT的通态特性和开关性能。

摘要：针对静电放电（Electro—static Discharge，简称ESD）对芯片造成损伤的现象．研究了静电放电发生的过程及产生的原因。首先阐述了几种常见的模拟静电放电过程的模型，然后利用彩色电视机的一体式行回扫变压器作为直流高压源、串联SCR作为高压开关，设计并制作出符合IEEE Std C62，38—1994标准的ESD人体模型实验发生仪器，并对ESD人体放电模型中的body／finger模型进行了实验模拟。最后给出放电电压为4kV时测量的ESD电流脉冲波形．并与理想放电波形进行对比，其结果验证了该方案的可行性和易操作性。

摘要：以标准3-μm双阱CMOS工艺为基础，开发了高低压体硅CMOS工艺，解决了低压CMOS和高压LDMOS工艺兼容性问题。基于RESURF原理，设计了八边形结构的高压LDMOS；完成了低压控制电路与高压LDMOS集成专用高速高压驱动器的设计。测试结果表明，高压LDMOS的开通电阻约为22Ω，击穿电压不高于130V；专用高速高压驱动器功能指标达到设计要求。

摘要：设计了一种电焊机及电化学专用的新型整流二极管，即3．5kA／400V高电流密度整流二极管（焊接二极管）。该二极管具有低电压、大电流、低热阻、高结温的特点。给出了研制生产该产品的主要工艺途径及测试结果。市场对这一产品及其拓展产品的反映很好。

摘要：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在现代电力电子装置中得到了曰益广泛的应用，尤其是第4代Trenchstop型IGBT的出现更具有革命性的意义。介绍了IGBT芯片技术的发展，着重分析了新一代Trenchstop型和目前应用较为普遍的NPT型IGBT的结构和性能，最后通过实验对两种相同等级、不同结构的器件进行了性能测试，结果表明Trenchstop型器件具有导通压降低、关断损耗小等优点。

摘要：经过对各种高压电力半导体器件实用模型的分析，设计了长、短基区最薄，P区径向变掺杂的一种双负角6英寸晶闸管，该晶闸管具有在获取一定高电压的同时能获取最大通态电流、最佳协调各动静态参数的唯一性。以特高压直流输电（UHVDC）应用要求为最终目的，对制造工艺实施必要的少数载流子寿命分布全程二维监控，研究获得高质量的工艺加工水平及高精度、高均匀性的目标寿命控制。经设计及工艺定型后，最终形成了批量生产。

摘要：考虑到寿命不等时的双注入效应、载流子寿命，特别是少子空穴寿命的变化、电导调制效应、双注入空间电荷限制效应等因素，对静电感应晶闸管（Static Induction Thyristor，简称SITH）在正向阻断态的整个I—V特性进行了分段物理分析，给出了理论解释并进行了计算，得出的结论与实验观测结果相吻合。

摘要：叙述了汽车用整流二极管的芯片类型、焊接形式及失效模式，给出了热敏电压等效测试瞬态热阻抗的原理：将热敏电压应用在汽车用整流二极管的质量控制中，取得了实际成效。

摘要：介绍了金属全密封大电流三相整流模块的设计和制作工艺。它主要采用真空烧结、超声压焊工艺，封装采用平行缝焊。该模块具有使用方便、可靠性高和温度范围宽（-55～＋125℃）等特点，并能满足工程需要。

摘要：提高纵向耐压是研究绝缘体上的硅（Silicon—on—insnlator，简称SOI）高压器件之瓶颈，经过多年研究，总结出了SOI高压器件介质场增强（Enhanced Dielectric Layer Field，简称ENDIF）理论与技术，通过增强介质埋层电场来提高击穿电压。给出增强介质埋层电场的3项技术，即在埋层上界面引入电荷、降低埋层介电系数、采用超薄顶层硅。基于ENDIF，提出了一系列SOI高压器件结构，即电荷型SOI高压器件、低k和变k埋层SOI高压器件、薄硅层阶梯漂移区SOI高压器件，建立了相应的耐压模型，并研制出大于700V的双面电荷槽SOI横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，简称LDMOS）。

摘要：通过分析现有镀膜工艺设备的电子束加热原理、结构和热量损耗，并针对实际应用过程中镀膜存在的问题，提出了对现有设备的改进措施，开发出一种新的镀厚膜工艺，较好解决了芯片镀厚膜的工艺技术难题和存在的镀厚膜工艺质量问题，大大提高了镀厚膜工艺的工作效率，极大地改善了特高压超大功率电力电子器件的电性能参数，收到了良好的效果。

摘要：利用离子注入、湿氧氧化、低温键合、背面减薄等工艺成功制备了低应力厚膜SOI晶片，并介绍了厚膜SOI晶片的厚度、界面和应力。该晶片的各层区域分明，界面平整，上层硅厚度为76．5μm，SiO2埋层厚度为0．865μm；晶片键合良好，有效键合面积大于95％，键合强度大于13．54J／m^2；表面应力小于12．6MPa，适用于MEMS器件。