摘要：利用TCAD半导体器件仿真软件,依据NPN型大功率晶体管电参数指标要求,针对直流增益及其高、低温变化率进行了研究.为拓宽满足直流增益要求的结构参数范围并改善直流增益高、低温变化率,提出一种新型带P^+埋层的高反压大功率晶体管结构.仿真结果表明:通过对P^+埋层掺杂浓度和厚度进行优化,可有效折中直流增益和集电极-发射极击穿电压的矛盾关系,使得发射区、基区结构参数在较大范围内满足直流增益指标要求,增大了工艺裕量.P^+埋层的存在,可针对满足直流增益及其高、低温变化率的要求来调整发射区、基区结构参数.