摘要：通过溶胶凝胶的方法,在FTO衬底上制备得到SnO2薄膜,并对SnO2薄膜的晶体结构以及荧光光谱(PL)进行了研究。XRD结果显示SnO2薄膜为多晶结构,荧光光谱结果表明SnO2薄膜存在氧空位以及氧填隙等缺陷。通过直流磁控溅射在SnO2薄膜上面溅射Al作为顶电极,并对Al/SnO2/FTO结构进行了电阻开关性质研究,测试结果表明器件具有双极型电阻开关性质和良好的阻态保持特性。对器件的电流-电压曲线特征进行了研究,认为SnO2薄膜内氧离子(氧空位)在电场作用下发生迁移,在Al/SnO2界面发生氧化还原反应是引起Al/SnO2/FTO电阻状态改变的原因。