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摘要：GaN HEMT由于其具有高频、高温、大功率、抗辐射等特性,在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中具有广阔的应用前景。虽然GaN HEMT较Si基半导体器件具有优越的抗辐射特性,但距GaN材料本身的抗辐射能力和水平仍存在较大差距,GaN HEMT制造工艺是导致这一差距产生的主要原因。通过调研、分析近几年国际报道的GaN HEMT制造工艺对辐射效应的影响,分别从有源区隔离工艺、GaN沟道层厚度、钝化层结构和衬底材料四个方面作出对比,分析可能的原因,给出一种加固工艺优选方法,以期对我国抗辐射加固GaN HEMT研制提供借鉴和指导。

摘要：基于硅-玻璃结构,设计并制造了一种MEMS电容式差压压力传感器,利用由硅MEMS微纳米加工技术制作的硅可动薄膜作为压力的感测电极,利用在Pyrex玻璃上淀积Au薄膜作为固定电极,通过硅-玻璃阳极键合工艺实现硅结构与玻璃的键合。在键合过程中实现Pryex玻璃上的pad与硅可动电极的互联,实现MEMS电容式差压压力传感器功能。所设计的MEMS差压压力传感器的量程范围为0~40kPa,其电容变化范围为5.4~7.3pF,电容变化量率达到了35%。利用二次曲线拟合,满量程误差小于0.4%FS,可满足大部分应用场合的需求。

摘要：针对半导体行业中常见的集成电路产品在加工期间更换晶圆厂的现象,通过对比原晶圆厂与待转移晶圆厂的加工工艺,对更换前后工艺的差异性进行逐一分析。从衬底材料的电阻率、P管场区阈值的调整方式、P管沟道的调整方式、NSD与PSD的注入顺序、栅氧厚度、ILD原材料、金属布线厚度等方面对晶圆厂转移的成功率进行评估。产品加工完成后,又通过PCM参数及电参数对比分析的方式进行产品参数的差异性确认。分析结果表明,晶圆厂转移后加工的产品参数指标与原工艺线相比略有提升,产品成品率也有所提高,既未影响原用户使用,又降低了加工成本,晶圆厂实现成功转移。

摘要：随着SiP封装技术的快速发展与广泛应用,电子产品的体积不断缩小,为顺应这一趋势,设计一种限流保护器模块,采用SiP技术,三层PCB采用上下堆叠方式,经过模具灌封、切割处理,保证模块外形尺寸大小,再经过表面金属化、激光雕刻等工序,实现各层PCB之间的电信号连接。通过对灌封材料粘度、热膨胀系数等性能指标进行评估试验,灌封后的模块电路满足设计协议中电特性及环境试验的质量要求。该模块具有高度集成、高可靠性等特点。主要应用于保护ASICs、FPGAs等对单粒子锁定效应敏感的电子器件中,避免此类器件发生过流损坏。

摘要：CMOS电路场氧区对辐照高度敏感,场寄生管的阈值电压易在辐照下产生漂移并导通,从而引起电路漏电流增大。为有效地降低辐照后场区正电荷累积,提高场区抗辐照性能,使辐照后电路漏电流增加值降低,采用二氧化硅与氮化硅复合场介质制造工艺,通过比较新工艺与常规场氧加固工艺条件下电路漏电流的变化来对比两者的抗电离辐照性能,并给出了试验数据。研究结果表明,采用二氧化硅与氮化硅复合场介质能够有效的抑制辐照引起的漏电流增大,提高场区抗辐照性能,进而提高整体电路的抗辐照性能。

摘要：储能焊密封工艺使用的金属外壳具有良好的散热能力,在大功率混合集成电路和异形金属封装中使用广泛,然而,储能焊本身是一种较为粗放的密封方式,封焊过程中应力和电流较大,如果工艺设置不当,易对电路产生可靠性影响。以实际应用中遇到的一次储能焊混合电路的典型失效为实例,从故障表现、机理分析入手,系统地展开排查,准确定位问题所在,并提出解决办法。在此过程中建立起一种能焊密封工艺造成混合电路失效的典型故障模型,有助于提高后续产品可靠性。

摘要：反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反相器器件参数,包括衬底掺杂浓度,栅氧化层厚度,晶体管导电沟道宽长比,电阻RL的阻值等,研究其对反相器输出低电平性能的影响。仿真结果表明,增加衬底掺杂浓度和P^+区掺杂浓度可以改变阈值电压,优化电路的输出电平;增大栅氧化层的厚度也可同样实现对电阻型NMOS反相器输出电平的优化。

摘要：随着定位技术的不断发展,所需的定位服务已不局限于室内或室外,而是需要提供室内外无缝衔接的精准定位服务。为解决室内外无缝定位以及室内多区域流畅软切换遇到的问题,本研究独创性地提出了一种采用权重可变的k最近邻(WAkNN)算法进行多定位信息融合的方法。对室内采用UWB定位,室外采用GPS定位,通过权值的变化来完成对不同定位数据的选择与区域的切换,并在MATLAB上进行仿真,模拟真实的定位场景和定位数据。仿真表现出良好的融合效果和流畅的切换效果,证明该方法在室内区域流畅切换以及室内外无缝定位上确实可行,很好地达到了预期目标,可凭借其计算复杂度低的优点在低延迟定位场景中广泛应用。

摘要：针对多光子纠缠态制备时需要较多的线性光学器件和较复杂的光路演化过程的问题,提出一种方便操作的制备八光子纠缠态方案。基于自发参量下转换的过程,考虑由二型BBO晶体的自发参量下转换产生四组独立的纠缠光子,通过两块BBO晶体、几组偏振分束器和半波片等线性光学器件搭建量子线路演化的八光子系统。在此过程中有四个光路中的光子并没有参与直接的相互作用,但在这四路光路中所得到的光子仍然为纠缠光子,从而证明了量子纠缠态的非局域性。在方案设计中减少了光学器件的数量,降低了光路的复杂度,同时也讨论八光子量子态的保真度与信道系数比之间的关系,以保证后续搭建量子通信信道可以成功传输量子信息。

摘要：鉴于高校内人员密集、火灾和烟雾易蔓延等特点,针对火灾发生时逃生路径的危险性和疏散能力的动态变化,为提高高校建筑火灾疏散通道的安全性,建立一种动态的人员疏散模型。在高校建筑内原有的疏散通道基础上,实现疏散通道的动态评估。基于GIS技术,对高校建筑几何空间进行划分,并利用A*算法,在空间、时间两个维度上对高校建筑物内火灾发生过程进行模拟,制定有针对性的高校建筑内火灾灾情动态评估人员疏散方案,以辅助高校建筑的降低火灾灾害的措施。

摘要：在实际环境中异常值的存在会破坏基于l2范数优化准则的自适应滤波算法,然而在统计学中,基于秩的Wilcoxon方法通常对异常值不敏感,为此,通过以最小化加权Wilcoxon范数代替加权欧式范数作为代价函数,并利用Sign-Sign Wilcoxon比Sign Wilcoxon在存在异常值时有更快的收敛速度这一思想,提出一种基于Wilcoxon范数的变步长符号-符号仿射投影算法,该算法可以缓解基于Wilcoxon范数的符号-符号仿射投影算法固定步长的局限性。仿真结果表明,在非高斯噪声下,该算法与APA,WAPA,Sign WAPA,Sign-Sign WAPA相比具有更优越的性能。

摘要：为适应FMCW雷达技术在研究深度及相关硬件水平上的新发展,以FMCW雷达测距原理为基础,设计了用于FMCW雷达系统的一款中频处理电路,包括调制信号的产生、中频电路参数的计算及电路实现。为方便验证中频电路性能,设计实现了一种基于FPGA的信号采集方案及信号处理办法,并放置静态目标进行验证。实验结果表明,测试系统能够测量10m以内的目标距离,测距平均误差为±0.1m。该中频电路设计方案简洁便利、易于实现、成本较低且性能良好,为FMCW雷达民用化应用提供了一种解决方案。

摘要：鉴于实时系统分析对信号处理研究具有的重要作用,以及其对较高的硬件运算和软件处理能力的要求,采用DSP硬件和MATLAB软件联合建立一套仿真系统,演示、验证DSP信号处理器中模块的操作流程和软件接口信息。实验结果表明该仿真系统能够实时监控通信中的物理层信号和信道变化,并通过频谱分析,实时地输出分析结果;能够快速判断出物理层出现问题的信号模块,并及时加以解决。分别通过ping包和灌包通信为例说明该仿真系统平台对物理层的调试能起到很好的辅助作用,为今后进一步研究实时系统提供参考。

摘要：针对工业生产现场设备中传统的人工记录方式存在效率低、出错率高、信息汇总难的问题,设计一款故障信息采集处理系统。基于工业生产现场实际使用情况,采用意法半导体公司的控制器为硬件平台,通过USB扫码枪采集故障条形码,存储于本地的SD卡内,并采用CAN总线传输故障条形码。系统还实现了设备地址读取、指示灯控制、温湿度采集等辅助功能。经工业现场实验检验,系统的稳定性及可靠性高,降低了人工操作引起的错误,使故障信息便于存储与管理,提高了生产效率。