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一种300 GHz CMOS高增益谐波混频器

摘要:基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种工作在300 GHz的高增益、3阶谐波混频器。在谐波混频器中,提出将射频电感与接收天线设计为一体的新思路,不仅避免了二者之间的匹配,还减小了芯片尺寸。该谐波混频器包括片上天线、混频模块、IF放大器等。仿真结果表明,片上环形天线的谐振频率点在300 GHz附近,射频电感在300 GHz附近为21.9 pH,混频模块的转换增益为-5.4 dB,IF放大器的电压增益为23.5 dB,谐波混频器的最大转换增益为14.9 dB。当谐波混频器的转换增益大于0 dB时,输出频率带宽为0.05~12.47 GHz。

关键词:
  • 谐波混频器  
  • cmos  
  • 转换增益  
  • 片上天线  
作者:
徐雷钧; 孙春风; 李芹; 白雪
单位:
江苏大学电气信息工程学院; 江苏镇江212013; 东南大学射频与光电集成电路研究所; 南京210096
刊名:
微电子学

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期刊名称:微电子学

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