摘要：为研究累积总剂量辐照对SRAM瞬时剂量率翻转效应的影响,选取特征尺寸为 180 nm 的商用SRAM在 60 Co γ辐射源及“强光一号”加速器上进行了累积总剂量效应与瞬时剂量率效应的实验研究。实验结果表明,在累积总吸收剂量分别为100 krad(Si)和150 krad(Si)时, 180 nm SRAM瞬时剂量率翻转对累积总剂量辐照实验过程中的写入数据都表现出“反印记效应”依赖性,即当SRAM芯片在累积总剂量辐照实验中与瞬时剂量率辐照实验中写入的数据类型相同时,该数据类型的瞬时剂量率敏感性增大,更容易发生翻转。