摘要：基于硅基MEMS工艺的宽带射频收发微系统在实现武器装备小型化的过程中具有十分重要的意义。将GaAs多功能芯片、MEMS滤波器等多种工艺制成的射频器件集成到硅晶圆上,利用TSV及晶圆级键合工艺实现一个X频段的射频前端。射频前端包括收发两部分功能,利用它可以实现零中频变频功能及数控衰减功能。其三维结构尺寸为25mm×18mm×1mm,仅为分立器件搭建的射频前端的1/8。测试结果表明,接收部分在通带内增益大于35dB,噪声系数小于6dB,1dB压缩点大于0dBm;发射部分在通带内增益大于9dB。与分立器件搭建的X频段射频前端相比,基于硅基MEMS工艺的射频前端在输出信号IQ一致性上有很大程度的提高,且样品各性能指标符合设计预期,验证了设计的正确性和可行性。