摘要：采用不同制备工艺(即SiC粉体的预氧化处理),以Al2O3-MgO-Y2O3为烧结助剂,在1 900℃下无压烧结制备SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷微观结构和表面形貌.结果表明:碳化硅粉料未经预氧化处理,制备出的SiC陶瓷表面孔隙相对较小,密度相对较高.SiO2薄层的形成不利于制备高密度、高强度的SiC陶瓷样品.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
热门期刊
相关论文
期刊名称：伊犁师范学院学报·社会科学版
伊犁师范学院学报·社会科学版紧跟学术前沿，紧贴读者，国内刊号为：65-1186/G4。坚持指导性与实用性相结合的原则，创办于1982年，杂志在全国同类期刊中发行数量名列前茅。
购物车(0)