摘要：采用ITO/Ti3O5薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层、窗口层、电流阻挡层和增透膜层。通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度。通过ITO/Ti3O5增透膜设计提升LED的光提取效率。具有该ITO/Ti3O5薄膜结构的主波长621nm的高亮度AlGaInP LED芯片(150μm×150μm)较传统结构芯片发光强度提升40%,20mA注入电流下,电压均值在2.1V左右。